Mise à jour du 25 mars 2013  

Stéphane BURIGNAT

Parcours, Enseignements et Travaux de Recherche



2009-- :
Post-doctorat
(Research Grant)

Laboratoire d'Electronique et des Systemes d'Informations - Université de Gand (Belgique)

Responsabilités administratives     
- Rédaction de projets (Région Flammande "FWO - Krediet aan navorser") et participation à la rédaction collaborative d'un projet FP7,
- Organisation de la conférence RC2011 (3rd International Workshop on Reversible Computation de juillet 2011),
- Direction de la thèse de master de deux étudiants ERASMUS.


Responsable scientifique pour la conception de circuits réversibles dans le cadre du projet "Micropower"
- Synthèse design et test de prototypes de circuits réversibles en technologie CMOS 350 nm:
     circuits reversibles (quantum) digitaux pour utilisation en mode de calcul adiabatique: Additionneur "Cuccaro", encodeur H264/AVC,
- Synthèse, design et test de nouvelles portes reversibles élémentaire et construction d'une librairie standard pour la conception d'ASICs reversibles, (en cours)
- Installation des outils de conception CADENCE pour les futurs circuits prévus en 130 nm (en cours).


Recherche sur les interfaçages des circuits reversibles avec d'autres technologies     
- Conception de cartes électroniques pour interfacer les circuits reversibles avec un circuits ASIC CMOS conventionnel (XILINX Spartan-3E),
- Recherche de nouveaux partenaires dans le domaine des applications biomédicales et optiques (capteurs, sondes, antennes etc.).



Lien vers UGent Lien vers ELIS

Page Recherche
"Circuit Réversibles"

2007-2009 :
Assistant de Recherche

Université Catholique de Louvain - Laboratoire d'Hyperfréquences (Belgique)

Intégration d'un laser picoseconde
- Etude et réalisation du cahier des charges pour l'acquisition d'un laser picosecondes,
- Recherche de futures applicaions s'intégrant dans le contexte des plateformes technologiques WINFAB et de caractérisation électrique WELCOME,
- Identification des besoins en caractérisation électrique manquant pour les futurs applications laser (i.e. banc de caractérisation électrique basse fréquence pour l'étude des couches minces de faibles impédences),
- Recherche de partenariats et de collaboration futures,


Etude de Transistors SOI avancés
- Study Etude de Transistor sub-45 nm plainement déplétés à film et oxide enterré extrèmement fins (UTB2),
- Etude de l'impact de l'état de charge du substrat dans les transistors UTB2: simulations ATLAS, développement de routine d'extraction de paramètres, caractérisation électrique,


Co-encadrement et formation technique et scientifique d'un doctorant
- Co-encadrement technique et scientifique et suivi de M. Mohd Kairuddin Md ARSHAD, doctorant au laboratoire EMIC sous la direction du Pr. Jean-Pierre RASKIN, pour tout ce qui concerne la caractérisation électrique, les simulations ATLAS, l'extraction de paramètres et l'étude des transistors SOI UTB2,

Etude hyperfréquences de membranes polymères pour les applications de piles à combustibles
- Etude et test d'un banc de caractérisation hyperfréquence avec chambre climatique,
- Caractérisation électrique hyperfréquence de membranes polymères à base Nafion



Lien vers UCL Lien vers EMIC

Page Recherche
"Etude comparative de transistors UTB et UTB2"


De 1999 à 2007 S. Burignat a participé activement aux enseignements de l'école d'ingénieur CPE-Lyon, (France)
en tant que vacataire d'enseignements:

1999-2006 Electronique analogique et numérique (TP) 1ère année d'ingénieur (L3) 110 h/an
2003-2006 Physique générale (TP) 2nd année de classe préparatoire - Math-Spé (L2) 117 h/an
2004-2007 Physique du composant (TD) 1ère année d'ingénieur (L3) 12 h/an
2004-2007 Introduction à l'électronique de filtrage (TD) 1ère année d'ingénieur (L3) 8 h/an

2006-2007 :
Post-doctorat CNRS STIC 2

INL - site de l'Ecole Centrale de Lyon (France)

S. Burignat, Conception de circuits élémentaires à base de nanocomposants émergents. Rapport Postdoctoral CNRS, CNRS UMR 5511 - Ecole Centrale de Lyon (ECL), (2007), Ecully, (France), 62 pages.

Link to CNRS Link to ECL Link to INL

2004-2006 :
Post-doctorat

INSA de Lyon - Collaboration LPM-INSA / InESS (France)
Carractérisation électrique et AFM / EFM de stuctures capacitives à double couches de nanocristaux de Germanium 
Link to InESS Link to INSA de Lyon

2000-2004 :
Doctorat
INSA de Lyon (France)

Thèse de doctorat de 3ème cycle

S. Burignat, Mécanismes de Transport, Courants de Fuite Ultra-Faibles et Rétention dans les Mémoires non Volatiles à Grille Flottante, Thèse de Doctorat, INSA de Lyon, 10 Décembre 2004, Lyon (France).

Manuscrit de Thèse au format pdf Link to Doc INSA Doc INSA

1999-2000 :
DEA DEI - INSA de Lyon

S. Burignat, Mise en oeuvre de la technique de la grille flottante et application à la mesure des courants de fuite induits (SILCs) dans les dispositifs MOS, Rapport de stage de DEA, Institut National de Sciences Appliquées de Lyon (INSA), (2000) Villeurbanne, (France).

Link to INSA de Lyon

1998-1999:
DESS EEA - INSA de Lyon

S. Burignat, Conception d'un transistor MOS de puissance à structure verticale, Rapport de stage de DESS, Institut National de Sciences Appliquées de Lyon (INSA), (2000) Villeurbanne, (France).

Link to INSA de Lyon

1997-1998:
Maîtrise de Physique
Université Claude Bernard
Lyon 1

S. Burignat, Etude de diatomées de sérum albumine bovine pour la sélection de matériaux pour prothèse de la hanche, Rapport de stage de Maîtrise, Université Claude Bernard Lyon 1 (UCBL), (1998) Villeurbanne, (France).

Link to University Lyon 1

© Stéphane BURIGNAT